大家好！今天讓創(chuàng)意嶺的小編來(lái)大家介紹下關(guān)于什么叫做半導(dǎo)體的問(wèn)題，以下是小編對(duì)此問(wèn)題的歸納整理，讓我們一起來(lái)看看吧。

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本文目錄:

• 1、半導(dǎo)體是什么

• 2、什么是半導(dǎo)體？

• 3、半導(dǎo)體什么意思?

• 4、什么是半導(dǎo)體？

一、半導(dǎo)體是什么

半導(dǎo)體是現(xiàn)在高科技產(chǎn)品所必需的原件。消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、醫(yī)療儀器等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用。也是利用半導(dǎo)體材料制成的器件的總稱。如半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體整流器、晶體管、光敏電阻、熱敏電阻、半導(dǎo)體光電池、半導(dǎo)體溫差發(fā)電器、半導(dǎo)體致冷器、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體微波功率源及半導(dǎo)體集成電路等。導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件。通常，這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。

半導(dǎo)體 通常是指溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。

而在未來(lái)氮化鎵半導(dǎo)體開關(guān)被譽(yù)為半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)上一個(gè)新的里程碑。美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)的科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種可用于制造新型電子開關(guān)的重要器件，這種電子開關(guān)可以提供平穩(wěn)、無(wú)間斷電源，給半導(dǎo)體這種新型材料，提供了無(wú)限的可能性。

二、什么是半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體的特征：

一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在 之間。

二、半導(dǎo)體之所以得到廣泛應(yīng)用，是因?yàn)樗膶?dǎo)電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。

三、如純凈的半導(dǎo)體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬(wàn)分之一的比例摻入少量雜質(zhì)(如磷)后，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬(wàn)倍。半導(dǎo)體具有這種性能的根本原因在于半導(dǎo)體原子結(jié)構(gòu)的特殊性。

常用的半導(dǎo)體材料是單晶硅（Si）和單晶鍺（Ge）。所謂單晶，是指整塊晶體中的原子按一定規(guī)則整齊地排列著的晶體。非常純凈的單晶半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

擴(kuò)展資料

一、本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體鍺和硅都是四價(jià)元素，其原子結(jié)構(gòu)示意圖如圖Z0102所示。它們的最外層都有4個(gè)電子，帶4個(gè)單位負(fù)電荷。通常把原子核和內(nèi)層電子看作一個(gè)整體，稱為慣性核。

慣性核帶有4個(gè)單位正電荷，最外層有4個(gè)價(jià)電子帶有4個(gè)單位負(fù)電荷，因此，整個(gè)原子為電中性。

二、應(yīng)用

1、在無(wú)線電收音機(jī)及電視機(jī)中，作為“訊號(hào)放大器/整流器”用。

2、半導(dǎo)體可以用來(lái)測(cè)量溫度，測(cè)溫范圍可以達(dá)到生產(chǎn)、生活、醫(yī)療衛(wèi)生、科研教學(xué)等應(yīng)用的70%的領(lǐng)域，有較高的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，分辨率可達(dá)0.1℃，甚至達(dá)到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測(cè)溫范圍-100~+300℃，是性價(jià)比極高的一種測(cè)溫元件。

3、半導(dǎo)體致冷器的發(fā)展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它采用了帕爾貼效應(yīng).

參考資料來(lái)源：百度百科-半導(dǎo)體

三、半導(dǎo)體什么意思?

半導(dǎo)體是什么？

當(dāng)電流通過(guò)各種物體時(shí)，不同的物體對(duì)電流的通過(guò)有著不同的阻止能力，有的物體可使電流順利通過(guò)，也有的物體不讓其通過(guò)，或者在一定的阻力下讓它通過(guò)。這種不同的物體通過(guò)電流的能力，叫做這種物體的導(dǎo)電性能。各種物體均有著不同的導(dǎo)電性能，凡是導(dǎo)電性能績(jī)好的物體叫做導(dǎo)體。如銀、銅、鋁、鉛、錫、鐵、水銀、碳和電解液等都是良好導(dǎo)體。反之，導(dǎo)電能力很差的物體叫做絕緣體。還有，有的物體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體差，但比絕緣體強(qiáng)，這種導(dǎo)體叫做半導(dǎo)體。如常用的晶體管原材料硅、鍺等。收音機(jī) CPU都是半導(dǎo)體

半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。

半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測(cè)其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬(wàn)倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。

把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成過(guò)程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場(chǎng)的方向）。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡。

半導(dǎo)體是什么意思

顧名思義：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導(dǎo)體（semiconductor）．

物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院?jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來(lái)說(shuō)這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，最近雖然不常用，單還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。

[編輯本段]半導(dǎo)體定義

電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。

半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。

半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。

半導(dǎo)體（東北方言）：意指半導(dǎo)體收音機(jī)，因收音機(jī)中的晶體管由半導(dǎo)體材料制成而得名。

本征半導(dǎo)體

不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴。導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。

[編輯本段]半導(dǎo)體特點(diǎn)

半導(dǎo)體三大特性∶攙雜性、熱敏性和光敏性。

在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。

在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。

晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱為晶格。

共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)：相鄰的兩個(gè)原子的一對(duì)最外層電子（即價(jià)電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運(yùn)動(dòng)，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構(gòu)成共價(jià)鍵。

自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價(jià)電子由于熱運(yùn)動(dòng)獲得足夠的能量，掙脫共價(jià)鍵的束縛變成為自由電子。

空穴：價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛變成為自由電子而留下一個(gè)空位置稱空穴。

電子電流：在外加電場(chǎng)的作用下，自由電子產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電子電流。

空穴電流：價(jià)電子按一......

LED和半導(dǎo)體分別是什么意思？

英文單詞的縮寫，主要含義：LED = Light Emitting Diode，發(fā)光二極管，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光；LED = Large Electronic Display，大型電子展示；LED = Lupus erythematosus disseminatus，播散性紅斑狼瘡，一種慢性、特發(fā)性自身免疫??；led是lead的過(guò)去式和過(guò)去分詞，意為“領(lǐng)導(dǎo)，帶領(lǐng)”；俄羅斯Pulkovo機(jī)場(chǎng)的IATA代碼。本詞條主要介紹發(fā)光二極管。 　LED（Light Emitting Diode），發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。LED的心臟是一個(gè)半導(dǎo)體的晶片，晶片的一端附 三豐LED在一個(gè)支架上，一端是負(fù)極，另一端連接電源的正極，使整個(gè)晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來(lái)。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來(lái)的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)“P-N結(jié)”。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子就會(huì)被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長(zhǎng)決定光的顏色，是由形成P-N結(jié)材料決定的。 科技名詞定義 中文名稱：半導(dǎo)體 英文名稱：semiconductor 定義：材料的電阻率界于金屬與絕緣材料之間的材料。這種材料在某個(gè)溫度范圍內(nèi)隨溫度升高而增加電荷載流子的濃度，電阻率下降。 所屬學(xué)科：機(jī)械工程（一級(jí)學(xué)科）；儀器儀表材料（二級(jí)學(xué)科）；半導(dǎo)體材料(儀器儀表)（三級(jí)學(xué)科） 半導(dǎo)體（semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用?！“雽?dǎo)體：電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體 半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。 本征半導(dǎo)體 不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴（圖 1 ）。導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。 半導(dǎo)體半導(dǎo)體中雜質(zhì) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜......

半導(dǎo)體是什么？

你可以網(wǎng)上查

半導(dǎo)體中RF是什么意思

RF即射頻（Radio Frequency）的意思，通?？s寫為RF。表示可以輻射到空間的電磁頻率，頻率范圍從300KHz～30GHz之間。射頻簡(jiǎn)稱RF射頻就是射頻電流，它是一種高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流，大于1礌000次的稱為高頻電流，而射頻就是這樣一種高頻電流。有線電視系統(tǒng)就是采用射頻傳輸方式。

半導(dǎo)體廠里面sg bg分別是什么意思

Form formPreview = new Form();

public Leaf(string name) : base(name) { }

public override void Add(ponent c)

{

Console.WriteLine("Cannot add to a leaf");

}

public override void Remove(ponent c)

{

Console.WriteLine("Cannot remove to a leaf");

}

public override void Display(int depth)

{

Console.WriteLine(new string('-',depth)+name);

}

}

半導(dǎo)體是什么意思啊?

~~~就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類物質(zhì)，初中的內(nèi)容~~

半導(dǎo)體中經(jīng)常說(shuō)的IP啥意思

網(wǎng)絡(luò)之間互連的協(xié)議（IP）是Internet Protocol的外語(yǔ)縮寫，中文縮寫為“網(wǎng)協(xié)”。在因特網(wǎng)中，它是能使連接到網(wǎng)上的所有計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)相互通信的一套規(guī)則，規(guī)定了計(jì)算機(jī)在因特網(wǎng)上進(jìn)行通信時(shí)應(yīng)當(dāng)遵守的規(guī)則。任何廠家生產(chǎn)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，只要遵守 IP協(xié)議就可以與因特網(wǎng)互連互通。IP地址具有唯一性，根據(jù)用戶性質(zhì)的不同，可以分為5類。另外，IP還有進(jìn)入防護(hù)，知識(shí)產(chǎn)權(quán)，指針寄存器等含義。

四、什么是半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體主要具有三大特性：

1.熱敏特性

半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。例如純鍺，濕度每升高10度，它的電阻率就要減小到原來(lái)的1／2。溫度的細(xì)微變化，能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來(lái)。利用半導(dǎo)體的熱敏特性，可以制作感溫元件——熱敏電阻，用于溫度測(cè)量和控制系統(tǒng)中。

值得注意的是，各種半導(dǎo)體器件都因存在著熱敏特性，在環(huán)境溫度變化時(shí)影響其工作的穩(wěn)定性。

2.光敏特性

半導(dǎo)體的電阻率對(duì)光的變化十分敏感。有光照時(shí)、電阻率很??；無(wú)光照時(shí)，電阻率很大。例如，常用的硫化鎘光敏電阻，在沒(méi)有光照時(shí)，電阻高達(dá)幾十兆歐姆，受到光照時(shí)。電阻一下子降到幾十千歐姆，電阻值改變了上千倍。利用半導(dǎo)體的光敏特性，制作出多種類型的光電器件，如光電二極管、光電三極管及硅光電池等。廣泛應(yīng)用在自動(dòng)控制和無(wú)線電技術(shù)中。

3.摻雜特性

在純凈的半導(dǎo)體中，摻人極微量的雜質(zhì)元素，就會(huì)使它的電阻率發(fā)生極大的變化。例如。在純硅中摻人。百萬(wàn)分之—的硼元素，其電阻率就會(huì)從214000Ω·cm一下于減小到0.4Ω·cm，也就是硅的導(dǎo)電能為提高了50多萬(wàn)倍。人們正是通過(guò)摻入某些特定的雜質(zhì)元素，人為地精確地控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，制造成不同類型的半導(dǎo)體器件?？梢院敛豢鋸埖卣f(shuō)，幾乎所有的半導(dǎo)體器件，都是用摻有特定雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料制成的。

擴(kuò)展資料

1、半導(dǎo)體的組成部分

半導(dǎo)體的主要由硅（Si）或鍺（Ge）等材料制成，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能是由其原子結(jié)構(gòu)決定的。

2、半導(dǎo)體分類

（1）半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。

（2）按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來(lái)說(shuō)這些還會(huì)被分成小類。

此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。

3、半導(dǎo)體的作用與價(jià)值

目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等。其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。

用半導(dǎo)體材料制成的部件、集成電路等是電子工業(yè)的重要基礎(chǔ)產(chǎn)品，在電子技術(shù)的各個(gè)方面已大量使用。半導(dǎo)體材料、器件、集成電路的生產(chǎn)和科研已成為電子工業(yè)的重要組成部分。在新產(chǎn)品研制及新技術(shù)發(fā)展方面，比較重要的領(lǐng)域有：

（1）集成電路 它是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中最活躍的一個(gè)領(lǐng)域，已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬(wàn)只晶體管，可在一片硅片上制成一臺(tái)微信息處理器，或完成其它較復(fù)雜的電路功能。集成電路的發(fā)展方向是實(shí)現(xiàn)更高的集成度和微功耗，并使信息處理速度達(dá)到微微秒級(jí)。

（2）微波器件 半導(dǎo)體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達(dá)到數(shù)瓦，人們正在通過(guò)研制新器件、發(fā)展新技術(shù)來(lái)獲得更大的輸出功率。

（3）光電子器件 半導(dǎo)體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個(gè)重要的領(lǐng)域。它們的應(yīng)用范圍主要是：光通信、數(shù)碼顯示、圖象接收、光集成等。

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